TCL科技集团股份有限公司聂志文获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011294195.7，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权量子点发光二极管及其制备方法是由聂志文设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：量子点层和形成于所述量子点层上的电子传输层，所述量子点层的靠近所述电子传输层所在侧的表面结合有酯物质。本发明将量子点层的位于电子传输层所在侧的表面替换为酯物质，由于酯物质具有良好的亲水性，其极性与电子传输层的极性相同，这样有效改善量子点层与电子传输层之间的相容性，减小量子点层与电子传输层间的表面接触角，填补膜层间的空隙和缺陷，有效避免非辐射复合的发生，减少漏电流产生，进而显著提升器件的发光性能。
本发明授权量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括量子点层和形成于所述量子点层上的电子传输层， 所述量子点层的远离所述电子传输层所在侧的表面结合有第一配体；所述第一配体为量子点的原始配体，所述第一配体为非极性； 所述量子点层的靠近所述电子传输层所在侧的表面结合有酯物质；所述酯物质与电子传输层的极性相同； 所述酯物质为在真空的条件下，利用第二配体和第三配体与位于所述量子点层的靠近所述电子传输层所在侧的表面的第一配体进行配体交换，然后酯化反应形成； 所述第一配体的碳链长度与形成所述酯物质的第二配体和第三配体的碳链长度相同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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