TCL科技集团股份有限公司聂志文获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011296931.2，技术领域涉及：H10K50/11；该发明授权量子点发光二极管及其制备方法是由聂志文设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：量子点层；阴离子聚合物层，所述阴离子聚合物层形成于所述量子点层表面；电子传输层，所述电子传输层形成于所述阴离子聚合物层表面。本发明的量子点发光二极管的量子点层中，与电子传输层接触的表面配位为阴离子聚合物，量子点层其余区域仍保留为原始配体。根据同种电荷排斥，异种电荷吸引的原则，当量子点层靠近电子传输层所在一侧的表面配体替换成了阴离子聚合物时，可以一定程度上阻碍与该种阴离子聚合物的官能团的电荷相同的电子注入，从而有助于提升载流子在整个量子点层中的有效复合，提升器件性能。
本发明授权量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在量子点层的表面形成阴离子聚合物层； 在所述阴离子聚合物层的表面形成电子传输层； 所述在量子点层的表面形成阴离子聚合物层的制备方法，包括如下步骤： 提供量子点层，所述量子点层的两个表面均结合有原始配体； 在5x10-4Pa的真空条件下，利用阴离子聚合物单体与位于所述量子点层的两个表面中的仅靠近电子传输层的一个表面的所述原始配体进行配体交换，得到表面结合有阴离子聚合物单体的量子点层； 使所述阴离子聚合物单体发生聚合反应，得到所述阴离子聚合物层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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