台湾积体电路制造股份有限公司刘威民获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011177126.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件和方法是由刘威民;舒丽丽;杨育佳设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和方法。一种器件，包括：从衬底延伸的第一鳍和第二鳍，第一鳍包括第一凹槽，并且第二鳍包括第二凹槽；隔离区域，围绕第一鳍并围绕第二鳍；栅极堆叠，位于第一鳍和第二鳍之上；以及源极漏极区域，位于第一凹槽和第二凹槽中，源极漏极区域邻近栅极堆叠，其中，源极漏极区域包括从第一鳍延伸到第二鳍的底表面，其中，底表面的位于隔离区域上方的第一高度以下的第一部分具有第一斜率，并且其中，底表面的位于第一高度以上的第二部分具有第二斜率，第二斜率大于第一斜率。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 从衬底延伸的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍包括第一凹槽，并且所述第二鳍包括第二凹槽； 隔离区域，围绕所述第一鳍并围绕所述第二鳍； 栅极堆叠，位于所述第一鳍和所述第二鳍之上；以及 源极漏极区域，位于所述第一凹槽和所述第二凹槽中，所述源极漏极区域邻近所述栅极堆叠，其中，所述源极漏极区域包括从所述第一鳍延伸到所述第二鳍的底表面，其中，所述底表面的位于所述隔离区域上方的第一高度以下的第一部分具有第一斜率，并且其中，所述底表面的位于所述第一高度以上的第二部分具有第二斜率，所述第二斜率大于所述第一斜率， 其中，所述底表面的最上部在竖直方向上更靠近所述源极漏极区域的顶表面而不是更靠近所述隔离区域。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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