力晶积成电子制造股份有限公司王子嵩获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利3D NAND闪存存储器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011153992.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权3D NAND闪存存储器元件是由王子嵩设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D NAND闪存存储器元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种3DNAND闪存存储器元件包括：基底、基底上的源极线、源极线上的堆叠结构、堆叠结构上的位线以及柱状通道部。堆叠结构包括第一选择晶体管、多个存储单元与第二选择晶体管，其中第一选择晶体管包括第一选择栅极、存储单元包括控制栅极、第二选择晶体管包括第二选择栅极。柱状通道部自源极线轴向延伸并贯穿堆叠结构，以耦接至位线。所述第一选择晶体管包括改良萧特基能障MSB晶体管，以生成多数载流子直接隧穿DirectTunneling至所述柱状通道部来执行程序操作或者抹除操作。
本发明授权3D NAND闪存存储器元件在权利要求书中公布了：1.一种3DNAND闪存存储器元件，其特征在于，包括： 基底； 源极线，形成于所述基底上； 堆叠结构，形成于所述源极线上，所述堆叠结构包括第一选择晶体管、多个存储单元与第二选择晶体管，其中所述第一选择晶体管包括第一选择栅极，所述多个存储单元包括多个控制栅极，所述第二选择晶体管包括第二选择栅极； 位线，形成于所述堆叠结构上；以及 至少一柱状通道部，自所述源极线轴向延伸并贯穿所述堆叠结构，以耦接至所述位线， 其中所述第一选择晶体管还包括第一硅化金属层以及第一型重掺杂区，所述第一型重掺杂区位于所述柱状通道部轴向的一端，其分别与所述第一硅化金属层以及所述柱状通道部直接接触并构成改良萧特基能障MSB晶体管，以生成所述第一型重掺杂区的多数载流子直接隧穿DirectTunneling至所述柱状通道部来执行程序操作或者抹除操作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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