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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利伪双端口存储器及其位线控制方法、装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496005B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011156363.6，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权伪双端口存储器及其位线控制方法、装置是由苏柏青;何超;苏柏松设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本伪双端口存储器及其位线控制方法、装置在说明书摘要公布了：一种伪双端口存储器及其位线控制方法、装置，所述方法包括：当在一存取周期内执行读取操作和所述读取操作之后的写入操作时，获取对应的读取数据和写入数据的信息；当确定所述读取数据和写入数据相同时，生成对应的第一控制信号，以使得所述位线预充电单元在所述读取操作结束时，基于所述第一控制信号将所述存储阵列对应列的位线对中的对应位线从第一逻辑低电平继续下拉至第二逻辑低电平；所述第一逻辑低电平为所述读取操作结束时所述对应位线上的电压信号，所述第二逻辑低电平为所述写入操作时施加于所述对应位线上的电压信号。上述的方案，可以节约伪双端口存储器的能耗并提高工作速度，提升伪双端口存储器的性能。

本发明授权伪双端口存储器及其位线控制方法、装置在权利要求书中公布了：1.一种伪双端口存储器的位线控制装置，所述伪双端口存储器包括一存储阵列和位线预充电单元；所述存储阵列包括多行多列的存储单元；同一行的存储单元与同一字线耦接，同一列的存储单元与同一位线对耦接；所述位线预充电单元与所述存储阵列的位线对耦接；所述位线对包括互补的第一位线和第二位线；其特征在于，所述装置包括： 获取单元，适于当在一存取周期内执行读取操作和所述读取操作之后的写入操作时，获取对应的读取数据和写入数据的信息；所述读取操作和所述写入操作的对象为所述存储阵列中同列的第一存储单元和第二存储单元；控制单元，适于当确定所述读取数据和写入数据相同时，生成对应的第一控制信号，以使得所述位线预充电单元在所述读取操作结束时，基于所述第一控制信号将所述存储阵列对应列的位线对中的对应位线从第一逻辑低电平继续下拉至第二逻辑低电平；所述第一逻辑低电平为所述读取操作结束时所述对应位线上的电压信号，所述第二逻辑低电平为所述写入操作时施加于所述对应位线上的电压信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。