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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114326286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011061135.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质是由游亚平;倪昶;吴宗晔设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近矫正方法包括：提供图形区，包括多个主图形；获取辅助图形的设置规则；基于设置规则在主图形周围设置第一辅助图形；设置规则包括辅助图形与主图形之间的第一线端距离以及相邻辅助图形之间的第二线端距离，辅助图形与主图形之间的第一间距以及相邻辅助图形之间的第二间距；基于第一线端距离、第二线端距离、第一间距和第二间距，对主图形和第一辅助图形的边缘进行扩展，获得设置禁止区域，剩余区域用于作为设置许可区域；对设置许可区域进行设置规则检查；当设置许可区域满足设置规则时，在设置许可区域中设置第二辅助图形。本发明实施例提高光学邻近矫正的精度和效果。

本发明授权光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近矫正方法，其特征在于，包括： 提供图形区，包括多个主图形，所述主图形的延伸方向为横向，与所述横向相垂直的方向为纵向； 获取在主图形周围设置辅助图形的设置规则； 基于所述设置规则，在所述主图形周围设置第一辅助图形； 所述设置规则包括：沿横向辅助图形与主图形之间的第一线端距离、以及相邻辅助图形之间的第二线端距离，沿纵向辅助图形与主图形之间的第一间距、以及相邻辅助图形之间的第二间距；所述辅助图形的线宽、长度和面积； 基于所述第一线端距离、第二线端距离、第一间距以及第二间距，对所述主图形和第一辅助图形的边缘进行扩展，获得设置禁止区域，剩余区域用于作为设置许可区域； 对所述设置许可区域进行设置规则检查；对所述设置许可区域进行设置规则检查的步骤包括：在所述设置许可区域中获得面积最大的规则多边形，所述规则多边形由一个或多个矩形组成；判断所述规则多边形是否满足所述辅助图形的线宽、长度和面积的要求； 当所述设置许可区域满足设置规则时，在所述设置许可区域中设置第二辅助图形。

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