台湾积体电路制造股份有限公司陈相甫获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112429697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010862379.2，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权半导体装置及其形成方法是由陈相甫;洪嘉明;邱怡瑄设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置包括设置在半导体衬底之上的内连结构。介电结构设置在所述内连结构之上。第一空腔及第二空腔设置在所述介电结构中。微机电系统衬底设置在所述介电结构之上，其中所述微机电系统衬底包括上覆在所述第一空腔上的第一可移动膜片及上覆在所述第二空腔上的第二可移动膜片。第一功能结构上覆在所述第一可移动膜片上，其中所述第一功能结构包含具有第一化学组成的第一材料。第二功能结构上覆在所述第二可移动膜片上，其中所述第二功能结构与所述第一功能结构横向间隔开，且其中所述第二功能结构包含具有与所述第一化学组成不同的第二化学组成的第二材料。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 内连结构，设置在半导体衬底之上； 第一介电结构，设置在所述内连结构之上； 第一空腔，设置在所述第一介电结构中； 第二空腔，设置在所述第一介电结构中并与所述第一空腔横向间隔开； 微机电系统衬底，设置在所述第一介电结构之上，其中所述微机电系统衬底包括上覆在所述第一空腔上的第一可移动膜片及上覆在所述第二空腔上的第二可移动膜片； 第一功能结构，上覆在所述第一可移动膜片及所述第一空腔上，其中所述第一功能结构包含具有第一化学组成的第一材料；以及 第二功能结构，上覆在所述第二可移动膜片及所述第二空腔上，其中所述第二功能结构与所述第一功能结构横向间隔开，所述第一功能结构与所述第二功能结构直接接触所述微机电系统衬底，且其中所述第二功能结构包含具有与所述第一化学组成不同的第二化学组成的第二材料。
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