买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010760781.X，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供有栅极结构的基底，栅极结构顶部有栅极盖帽层，栅极结构两侧基底中有源漏掺杂区，基底上有底部介质层，基底包括用于形成共享接触插塞的共享接触区，位于共享接触区的源漏掺杂区为第一源漏掺杂区，剩余为第二源漏掺杂区；在底部介质层中形成与第二源漏掺杂区相连的第一源漏互连层、以及位于第一源漏互连层顶部的源漏盖帽层；在底部介质层中形成与第一源漏掺杂区相连的第二源漏互连层；形成覆盖栅极盖帽层、源漏盖帽层、第二源漏互连层和底部介质层的顶部介质层；在共享接触区中，形成贯穿顶部介质层和栅极盖帽层的共享接触插塞。本发明降低共享接触插塞的形成难度、提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有栅极盖帽层，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区，所述栅极结构侧部的基底上形成有底部介质层，所述底部介质层覆盖所述栅极结构和栅极盖帽层的侧壁，其中，所述基底上用于形成电连接所述栅极结构和源漏掺杂区的共享接触插塞的区域作为共享接触区，位于所述共享接触区的所述源漏掺杂区作为第一源漏掺杂区，剩余的所述源漏掺杂区作为第二源漏掺杂区； 在所述第二源漏掺杂区顶部的底部介质层中形成与所述第二源漏掺杂区相连的第一源漏互连层、以及位于所述第一源漏互连层顶部的源漏盖帽层； 在所述第一源漏掺杂区顶部的底部介质层中形成与所述第一源漏掺杂区相连的第二源漏互连层，所述第二源漏互连层的顶部被所述底部介质层暴露； 形成覆盖所述栅极盖帽层、源漏盖帽层、第二源漏互连层和底部介质层的顶部介质层； 在所述共享接触区中，形成贯穿所述顶部介质层和栅极盖帽层的共享接触插塞，所述共享接触插塞电连接所述栅极结构和第二源漏互连层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。