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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种提高薄膜均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871293B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010619638.9，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权一种提高薄膜均匀性的方法是由王金翠;张秀全;张涛;李真宇;刘桂银设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高薄膜均匀性的方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种提高薄膜均匀性的方法，包括：根据注入参数，确定向晶圆第一注入面注入的第一注入剂量，以及，向晶圆第二注入面注入的第二注入剂量，按照第一注入剂量向晶圆第一注入面注入；按照第二注入剂量向晶圆第二注入面注入；向晶圆第一注入面注入第三注入剂量，第三注入剂量不大于临界注入剂量；如果向晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量达到目标注入剂量，则将第一注入面与衬底层键合，得到键合体；对键合体热处理，在衬底层上形成薄膜层。将目标注入剂量分步向第一注入面注入，同时配合向第二注入面注入，以抵消第一注入面注入产生的应力，保证每次注入过程中，晶圆都不会出现翘曲，进而保证注入深度一致，得到厚度均匀的薄膜。

本发明授权一种提高薄膜均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高薄膜均匀性的方法，其特征在于，包括： 根据注入参数，确定向晶圆第一注入面注入的第一注入剂量，以及，向晶圆第二注入面注入的第二注入剂量，其中，所述第一注入剂量小于目标注入剂量，且，所述第一注入剂量不大于临界注入剂量，所述第二注入剂量大于等于所述第一注入剂量的13，且，所述第二注入剂量不大于临界注入剂量，所述临界注入剂量是指在向所述晶圆第一注入面注入离子过程中不发生翘曲的最大注入剂量；所述第一注入剂量为向晶圆第一注入面单次注入的剂量，所述第二注入剂量为向晶圆第二注入面单次注入的剂量； 按照所述第一注入剂量向所述晶圆第一注入面注入； 按照所述第二注入剂量向所述晶圆第二注入面注入； 向所述晶圆第一注入面注入第三注入剂量，所述第三注入剂量不大于临界注入剂量； 如果向所述晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量达到目标注入剂量，则将第一注入面与衬底层键合，得到键合体； 对所述键合体热处理，在所述衬底层上形成薄膜层，所述薄膜层包括第一注入面。

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