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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115917755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100712.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权碳化硅半导体装置是由富永贵亮;日野史郎设计研发完成，并于2020-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及碳化硅半导体装置，具备：p型的第2阱区域，设置于半导体层的上层部；n型的第2杂质区域，设置于该上层部；p型的第2阱接触区域，设置于第2阱区域的上层部，在侧面与第2杂质区域接合；场绝缘膜，设置于第2阱区域上；第2接触部，贯通场绝缘膜，与第2杂质区域以及第2阱接触区域欧姆接触，与第1主电极电连接；边界部栅极绝缘膜，从元件区域与非元件区域的边界侧的第2杂质区域的端缘部上设置到与边界相邻的第1阱区域内的第1杂质区域的端缘部上；其上的边界部栅电极；以及第2主电极，第2阱接触区域从第2接触部的下方延伸到元件区域侧，第2杂质区域从第2接触部的下方延伸到非元件区域侧。

本发明授权碳化硅半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，具有形成有半导体元件的元件区域和该元件区域以外的非元件区域，在所述元件区域中，在碳化硅基板的厚度方向上流过主电流，该碳化硅半导体装置具备： 第1导电类型的半导体层，设置于所述碳化硅基板的第1主面上； 第2导电类型的第1阱区域，设置于所述元件区域的所述半导体层的上层部； 第1导电类型的第1杂质区域，设置于所述第1阱区域的上层部； 第2导电类型的第1阱接触区域，设置于所述第1阱区域的上层部，在侧面与所述第1杂质区域接合； 栅极绝缘膜，设置于所述第1杂质区域的端缘部上、所述第1阱区域上以及所述半导体层上； 栅电极，设置于所述栅极绝缘膜上； 第1接触部，与所述第1杂质区域以及所述第1阱接触区域欧姆接触，与设置于所述半导体层的上方的第1主电极电连接； 第2导电类型的第2阱区域，设置于所述非元件区域的所述半导体层的上层部； 第1导电类型的第2杂质区域，设置于所述第2阱区域的上层部； 第2导电类型的第2阱接触区域，设置于所述第2阱区域的上层部，在侧面与所述第2杂质区域接合； 场绝缘膜，设置于所述第2阱区域上； 至少1个第2接触部，贯通所述场绝缘膜，与所述第2杂质区域以及所述第2阱接触区域欧姆接触，与所述第1主电极电连接； 边界部栅极绝缘膜，设置于从所述元件区域和所述非元件区域的边界侧的所述第2杂质区域的端缘部之上到与所述边界相邻的所述第1阱区域内的所述第1杂质区域的端缘部之上； 边界部栅电极，设置于所述边界部栅极绝缘膜上；以及 第2主电极，设置于所述碳化硅基板的与所述第1主面相反的一侧的第2主面上， 所述第2阱接触区域从所述至少1个第2接触部的下方延伸到所述元件区域侧， 所述第2杂质区域从所述至少1个第2接触部的下方延伸到所述非元件区域侧。

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