住友电工光电子器件创新株式会社小栗裕之获国家专利权
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龙图腾网获悉住友电工光电子器件创新株式会社申请的专利晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010552960.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法是由小栗裕之设计研发完成，并于2020-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法。所述检查晶片的表面的方法包括以下步骤：用具有三个或更多个不同波长的激光束照射晶片的表面；当晶片的表面被激光束照射时，检测来自晶片的表面的反射光；以及基于晶片的表面关于具有三个或更多个不同波长的激光束的反射率，确定晶片的表面上是否存在异物，其中，确定是否存在异物的步骤包括确定异物是金属还是非金属的步骤。
本发明授权晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种检查晶片的表面的方法，所述方法包括以下步骤： 用具有三个或更多个不同波长的激光束照射所述晶片的表面； 当用所述激光束照射所述晶片的所述表面时，检测来自所述晶片的所述表面的反射光； 基于所述晶片的所述表面关于具有所述三个或更多个不同波长的所述激光束的反射率，确定所述晶片的所述表面上是否存在异物；以及 当存在异物时，确定所述异物是金属还是非金属， 其中， 确定所述异物是金属还是非金属包括以下步骤： 获得在所述不同波长的反射率当中的最大反射率和最小反射率， 获得所述最大反射率和所述最小反射率之间的差以及所述最大反射率和所述最小反射率之和，以及 当所述差与所述和的比率小于0.15时，确定所述异物为金属，而当所述比率为0.15或更大时，确定所述异物为非金属。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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