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欧司朗光电半导体有限责任公司F.科普获国家专利权

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龙图腾网获悉欧司朗光电半导体有限责任公司申请的专利光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114097100B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080051258.8,技术领域涉及:H10H20/857;该发明授权光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法是由F.科普;A.莫尔纳;R.H.恩兹曼设计研发完成,并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法在说明书摘要公布了:本发明说明了一种光电子半导体芯片20,具有:第一区域21,其掺杂有第一掺杂物;第二区域22,其掺杂有第二掺杂物;第一区域21和第二区域22之间的激活区域23;第一接触层24,其具有导电材料并且覆盖第一区域21;绝缘层25,其覆盖第一接触层24并且具有第一开口26;以及第二接触层27,其具有导电材料并且其覆盖绝缘层25和第一开口26,其中,第一开口26完全贯穿绝缘层25,并且第二接触层27具有第二开口28和或分别在第一开口26中在第二接触层27和绝缘层25之间布置具有导电材料的第三接触层29。本发明还说明了一种用于制造光电子半导体芯片20的方法。

本发明授权光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法在权利要求书中公布了:1.一种光电子半导体芯片20,具有: -第一区域21,所述第一区域掺杂有第一掺杂物, -第二区域22,所述第二区域掺杂有第二掺杂物, -所述第一区域21和第二区域22之间的激活区域23, -第一接触层24,所述第一接触层具有导电材料并且覆盖所述第一区域21, -绝缘层25,所述绝缘层覆盖第一接触层24并且具有第一开口26,以及 -第二接触层27,所述第二接触层具有导电材料并且所述第二接触层覆盖所述绝缘层25和所述第一开口26, 其中, -所述第一开口26完全贯穿所述绝缘层25, -所述第二接触层27具有第二开口28和或分别在所述第一开口26中在所述第二接触层27和所述绝缘层25之间布置第三接触层29,所述第三接触层具有导电材料, -所述第一接触层24具有透明导电氧化物,并且 -第一开口26在横向方向x上分别布置在两个第二开口28之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人欧司朗光电半导体有限责任公司,其通讯地址为:德国雷根斯堡;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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