国立大学法人九州工业大学;株式会社东金竹泽昌晃获国家专利权
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龙图腾网获悉国立大学法人九州工业大学;株式会社东金申请的专利稀土钴永磁体、其制备方法以及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010403308.6，技术领域涉及：H01F1/055；该发明授权稀土钴永磁体、其制备方法以及装置是由竹泽昌晃;町田浩明;藤原照彦;金森悠设计研发完成，并于2020-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本稀土钴永磁体、其制备方法以及装置在说明书摘要公布了：根据本公开的稀土钴永磁体包含：24质量％至26质量％的包含Sm的稀土元素R；25质量％至27质量％的Fe；4.0质量％至7.0质量％的Cu；2.0质量％至3.5质量％的Zr；以及作为剩余部分的Co和不可避免的杂质。稀土元素R是Sm和Nd的组合，Sm和Pr的组合，或Sm、Nd和Pr的组合中的任一种。稀土钴永磁体包含含有Th2Zn17结构的晶相的晶胞相和包围该晶胞相的含有RCo5结构的晶相的晶胞壁，并且晶胞壁中稀土元素R的浓度比晶胞相中稀土元素R的浓度高不少于25原子％。
本发明授权稀土钴永磁体、其制备方法以及装置在权利要求书中公布了：1.一种稀土钴永磁体，其包含： 24质量％至26质量％的包含Sm的稀土元素R； 25质量％至27质量％的Fe； 4.0质量％至7.0质量％的Cu； 2.0质量％至3.5质量％的Zr；和 作为剩余部分的Co和不可避免的杂质，其中 R为以下组合中的任一种： Sm和Nd的组合，其中0＜Nd≤25质量％且剩余部分为Sm； Sm和Pr的组合，其中0＜Pr≤25质量％且剩余部分为Sm； 或Sm、Nd和Pr的组合，其中0＜Nd+Pr≤25质量％且剩余部分为Sm， 所述稀土钴永磁体包含含有Th2Zn17结构的晶相的晶胞相和包围所述晶胞相的含有RCo5结构的晶相的晶胞壁，和 晶胞壁中R的浓度比晶胞相中R的浓度高不少于25原子％。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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