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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利半导体功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113795917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080034252.X，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权半导体功率模块是由C·M·劳腾萨克;A·凯撒;J·霍莫斯设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体功率模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体功率模块1，具有第一功率晶体管5LA和第二功率晶体管5LB，第一功率晶体管5LA和第二功率晶体管5LB并联地布置在第一集电极导体迹线11L和第一发射极导体迹线9L之间，其中功率晶体管5LA、5LB的第一连接表面分别与第一集电极导体迹线11L导电连接，并且功率晶体管5LA、5LB的第二连接表面分别与第一发射极导体迹线9L导电连接，使得当功率晶体管5LA、5LB分别通过所施加的控制电压被导通时，在第一集电极导体迹线11L和第一发射极导体迹线9L之间流动的电流分配在两个功率晶体管5LA、5LB上，其中第一外部功率接触P在第一接触区域KB1处直接与第一集电极导体迹线11接触，其中第二外部功率接触TL通过第一连接元件13在第二接触区域KB2处与第一发射极导体迹线9L接触，并且其中第二接触区域KB2在机械上不对称地定位在与第一发射极导体迹线9L连接的功率晶体管5LA、5LB之间，使得在两个功率晶体管5LA、5LB处得到具有相同有效控制电压的电对称性。

本发明授权半导体功率模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率模块1，具有第一功率晶体管5LA和第二功率晶体管5LB，所述第一功率晶体管5LA和所述第二功率晶体管5LB并联地布置在第一集电极导体迹线11L和第一发射极导体迹线9L之间， 其中所述第一功率晶体管5LA的第一连接表面和所述第二功率晶体管5LB的第一连接表面分别与所述第一集电极导体迹线11L导电连接，并且所述第一功率晶体管5LA的第二连接表面和所述第二功率晶体管5LB的第二连接表面分别与所述第一发射极导体迹线9L导电连接，使得当所述第一功率晶体管5LA和所述第二功率晶体管5LB分别通过所施加的控制电压被导通时，在所述第一集电极导体迹线11L和所述第一发射极导体迹线9L之间流动的电流分配在所述第一功率晶体管5LA和所述第二功率晶体管5LB上， 其中第一外部功率接触P在第一接触区域KB1处直接与所述第一集电极导体迹线11L接触， 其中第二外部功率接触TL通过第一连接元件13在第二接触区域KB2处与所述第一发射极导体迹线9L接触，并且 其中所述第二接触区域KB2通过以下方式在机械上不对称地定位在与所述第一发射极导体迹线9L连接的所述第一功率晶体管5LA和所述第二功率晶体管5LB之间，使得在所述第一功率晶体管5LA和所述第二功率晶体管5LB处得到具有相同有效控制电压的电对称性：相对于在所述第一功率晶体管5LA与所述第二功率晶体管5LB之间的距离，所述第二接触区域KB2在机械上朝所述第二功率晶体管5LB的方向移动，直到通过所述第二接触区域KB2的位置使得所述第一功率晶体管5LA和所述第二功率晶体管5LB的有效电感和欧姆电阻彼此适配，其中所述第二功率晶体管5LB在空间上比所述第一功率晶体管5LA更远离所述第二外部功率接触TL。

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