奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司M·R·贝林格获国家专利权
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龙图腾网获悉奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请的专利制造光电子半导体器件的方法及光电子半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113544864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080021197.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权制造光电子半导体器件的方法及光电子半导体器件是由M·R·贝林格;C·克莱姆设计研发完成，并于2020-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造光电子半导体器件的方法及光电子半导体器件在说明书摘要公布了：在一种实施方式中，该方法用于制造光电子半导体器件并且包括以下步骤：A）提供具有接触侧（20）的光电子半导体芯片（2），B）在所述接触侧（20）上产生涂层区域（21）和保护区域（22），C）将液体涂层材料（30）施加到接触侧（20）上，其中涂层材料（30）润湿所述涂层区域（21）并且不润湿所述保护区域（22），以及D）在所述涂层区域（21）上将所述涂层材料（30）固化为至少一个电接触结构（31），使得在按规定使用时穿过所述至少一个接触结构（31）地向所述半导体芯片（2）通电。
本发明授权制造光电子半导体器件的方法及光电子半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造光电子半导体器件（1）的方法，具有以下步骤： A）提供具有至少一个接触侧（20）的至少一个光电子半导体芯片（2），其中所述至少一个光电子半导体芯片（2）安装在载体（5）上，并且其中所述载体具有电接触部位（51），所述电接触部位在所述接触侧（20）的俯视图中观察时位于所述光电子半导体芯片（2）旁边， B）在所述接触侧（20）上或在至少一个所述接触侧（20）上产生至少一个涂层区域（21）和至少一个保护区域（22）， C）将至少一种液体涂层材料（30）施加到所述至少一个接触侧（20）上，其中至少一种涂层材料（30）润湿所述至少一个涂层区域（21）并且不润湿所述至少一个保护区域（22），以及 D）在所述至少一个涂层区域（21）上将所述至少一种涂层材料（30）固化为至少一个接触结构（31），使得在按规定使用时穿过所述至少一个接触结构（31）地向所述半导体芯片（2）通电，其中所述光电子半导体器件（1）包括所述载体（5），并且其中所述接触结构（31）是从所述光电子半导体芯片（2）一直达到所述载体（5）的电接触部位（51）的电印制线路。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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