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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司申请的专利IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010064134.5，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版是由葛孝昊;史波;曾丹;陈茂麟设计研发完成，并于2020-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版在说明书摘要公布了：本发明涉及一种IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞，元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个子发射区在阱基区的中心线上相交并在阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个子发射区自阱基区的上表面朝向其下表面延伸。该IGBT芯片可以在保持其六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高其元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。

本发明授权IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版在权利要求书中公布了：1.一种IGBT芯片的制造方法，其特征在于，包括： 步骤a，在半导体衬底的第一表面上制作出沟槽； 步骤b，在所述沟槽内依次制作出栅氧化层及栅极结构； 步骤c，在所述半导体衬底的第一表面内依次制作出由P型半导体材料形成的阱基区和发射区； 步骤d，在所述发射区上制作出带有通孔的硅氧化层； 步骤e，在所述硅氧化层上制作出发射极结构，并使所述发射极结构通过所述通孔来连接所述发射区和阱基区； 步骤f，在所述半导体衬底的与第一表面相对的第二表面内依次制作出由N型半导体材料形成的缓冲区和集电区，并使位于所述缓冲区和阱基区之间的所述半导体衬底由N型半导体材料形成为漂移区； 步骤g，在所述集电区上制作出集电极结构； 其中，所述步骤c具体包括： 步骤c1，对所述半导体衬底的第一表面进行氧化、光刻、刻蚀、掺杂和退火，以在所述半导体衬底的第一表面内形成的半成品区，其中在所述步骤c1中通过带正六边形孔的光刻版对所述半导体衬底的第一表面进行光刻； 步骤c2，对所述半导体衬底的第一表面再进行氧化、光刻、刻蚀、掺杂和退火，以使所述半成品区的一部分形成为所述阱基区而其另一部形成为所述发射区，其中在所述步骤c2中通过掩膜版对所述半导体衬底的第一表面进行光刻。

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