台湾积体电路制造股份有限公司吴仲强获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112510091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010018146.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及其形成方法是由吴仲强;陈柏成;黄国展;钟鸿钦;李显铭;陈建豪设计研发完成，并于2020-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种器件包括：半导体鳍；位于半导体鳍的侧壁和顶表面上的栅极堆叠。栅极堆叠包括：高k电介质层；与高k电介质层的底部交叠的功函数层；以及与功函数层的第二底部交叠的阻挡层。低电阻金属层与功函数层和阻挡层交叠并接触。低电阻金属层具有的电阻率值低于功函数层和阻挡层两者的第二电阻率值。栅极间隔件与栅极堆叠的侧壁接触。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一半导体鳍； 第一栅极堆叠，位于所述第一半导体鳍的侧壁和顶表面上，其中，所述第一栅极堆叠包括： 高k电介质层； 功函数层，与所述高k电介质层的第一底部交叠； 第一阻挡层，与所述功函数层的第二底部交叠；以及 第一低电阻金属层，与所述功函数层和所述第一阻挡层交叠并接触，其中，所述第一低电阻金属层具有第一电阻率值，所述第一电阻率值低于所述功函数层和所述第一阻挡层两者的第二电阻率值；以及 第一栅极间隔件，与所述第一栅极堆叠的侧壁接触， 其中，所述高k电介质层具有第一顶部边缘，并且所述第一栅极间隔件具有第二顶部边缘，并且其中，所述第一顶部边缘与所述第二顶部边缘齐平。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号