三星电子株式会社金洸奭获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利磁存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111525025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010004334.1，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权磁存储器件是由金洸奭;张荣万;皮雄焕设计研发完成，并于2020-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器件在说明书摘要公布了：在一个实施例中，提供了一种磁存储器件。所述磁存储器件包括：自由层结构，所述自由层结构具有可变的磁化方向。所述自由层结构包括：第一自由层，所述第一自由层是第一赫斯勒合金；耦合层，所述耦合层位于所述第一自由层上，所述耦合层包括金属氧化物层；和第二自由层，所述第二自由层位于所述金属氧化物层上，所述第二自由层是第二赫斯勒合金，所述第二赫斯勒合金不同于所述第一赫斯勒合金。所述磁存储器件还可以包括：被钉扎层结构，所述被钉扎层结构具有固定的磁化方向；以及隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述被钉扎层结构与所述自由层结构之间。
本发明授权磁存储器件在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器件，包括： 自由层结构，所述自由层结构具有可变的磁化方向，所述自由层结构包括： 第一自由层，所述第一自由层是第一赫斯勒合金， 耦合层，所述耦合层位于所述第一自由层上，所述耦合层包括金属氧化物层，所述耦合层被配置为在所述第一自由层中引起界面垂直磁各向异性，和 第二自由层，所述第二自由层位于所述金属氧化物层上，所述第二自由层是第二赫斯勒合金，所述第二赫斯勒合金不同于所述第一赫斯勒合金； 被钉扎层结构，所述被钉扎层结构具有固定的磁化方向；以及 隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述被钉扎层结构与所述自由层结构之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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