恩耐公司M·坎斯卡获国家专利权
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龙图腾网获悉恩耐公司申请的专利用于差分电流注入的方法、系统、设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113574750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980093209.8，技术领域涉及：H01S5/14；该发明授权用于差分电流注入的方法、系统、设备是由M·坎斯卡;陈之纲设计研发完成，并于2019-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于差分电流注入的方法、系统、设备在说明书摘要公布了：一种激光二极管，其包括：横向波导，其包括位于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，其中，横向波导在横向波导的n侧上由较低指数的n包覆层定界，且在横向波导的p侧上由较低指数的p包覆层定界；腔，其与横向波导正交，其中，腔在纵向方向上在第一端处由高反射器HR小面定界，并且在第二端处由部分反射器PR小面定界；以及第一触点层，其电联接到波导，并被配置成改变在纵向方向上注入到波导内的电流量，以便在HR小面附近注入比在PR小面处更多的电流。
本发明授权用于差分电流注入的方法、系统、设备在权利要求书中公布了：1.一种激光二极管，包括： 横向波导，所述横向波导包括位于所述横向波导的n侧上的n型半导体层和所述横向波导的p侧上的p型半导体层之间的有源层，其中，所述横向波导在所述n侧上由n包覆层定界，且在所述p侧上由p包覆层定界，所述n包覆层具有比所述n型半导体层低的折射率，所述p包覆层具有比所述p型半导体层低的折射率； 腔，所述腔与所述横向波导正交，其中，所述腔在纵向方向上在第一端处由高反射器HR小面定界并且在第二端处由部分反射器PR小面定界；以及 第一触点层，所述第一触点层被配置成改变在所述纵向方向上注入所述腔内的电流量，以便在所述第一端处注入比在所述第二端处更多的电流，从而减小沿所述腔的纵向热梯度， 其中，所述第一触点层包括材料厚度梯度，使得所述第一触点层的材料厚度从所述第一端到所述第二端纵向增大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人恩耐公司，其通讯地址为：美国华盛顿州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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