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龙图腾网获悉芯北电子科技(南京)有限公司申请的专利一种模拟电路的薄栅氧高压防倒灌电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120301403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510779121.9，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权一种模拟电路的薄栅氧高压防倒灌电路及其控制方法是由李彬;周伟雄;李雄;裘正锋设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模拟电路的薄栅氧高压防倒灌电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种模拟电路的薄栅氧高压防倒灌电路及其控制方法，包括输入端和输出端；功率管PM1，用于主电流通路控制；防倒灌功率管PM2，其源极连接输出端，漏极连接PM1的漏极，栅极通过电阻R1连接至偏置电流模块；齐纳二极管Z1和Z2，用于将栅源电压钳位至预设反偏电压；比较器的输入端分别连接输入端和输出端，比较器的输出端通过NM3控制偏置电流模块的通断；偏置电流模块，通过镜像电流为R1提供偏置电流；NM3，用于隔离输出端电压的高压。本发明通过在薄栅氧工艺下合理布局高压MOS管和偏置钳位电路，使得整体电路架构简洁，硬件资源占用小，从而有助于减少版图面积与掩模层数，降低芯片制造成本。

本发明授权一种模拟电路的薄栅氧高压防倒灌电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种模拟电路的薄栅氧高压防倒灌电路，其特征在于，包括： 输入端和输出端； 功率管PM1，为薄栅氧横向扩散P型金属氧化物半导体管，其源极连接输入端，漏极连接PM2的漏极，用于主电流通路控制； 防倒灌功率管PM2，为薄栅氧横向扩散P型金属氧化物半导体管，其源极连接输出端，漏极连接PM1的漏极，栅极通过电阻R1连接至偏置电流模块； 齐纳二极管Z1和Z2，分别连接于功率管PM1和功率管PM2的栅极与源极之间，用于将栅源电压钳位至预设反偏电压； 比较器的输入端分别连接输入端和输出端，比较器的输出端通过高压N型横向扩散管NM3控制偏置电流模块的通断； 偏置电流模块，包括低压N型金属氧化物半导体管NM1和NM2，通过镜像电流为R1提供偏置电流； 高压N型横向扩散管NM3，其漏极连接至偏置电流模块，源极接NM2的漏极，栅极受比较器输出控制，用于隔离输出端电压的高压； 其中，当输入端电压低于输出端电压时，比较器输出低电平，高压N型横向扩散管NM3关断，功率管PM1和功率管PM2均关断，阻断倒灌电流，且输出端电压无静态功耗。

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