江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司张春生获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司申请的专利一种深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510719511.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法是由张春生;张鹏;杨珏琳;宋文龙;陈城;刘湘;许志峰设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法，器件设有间断结构的多晶硅淀积，额外设有单独的栅源ESD保护区，器件整体以N型衬底进行二次外延，按最优条件拓展出多个功能层。本发明通过通过两次外延的N型衬底来缓解因刻蚀角度导致的槽宽不等所造成的电荷不平衡；通过刻蚀分离元胞的多晶硅，一半连接栅极金属，另一半连接源极金属，构成Dummy结构，真假元胞比为1：1，有效解决输入电容过大的问题，在不影响耐压和动态导通电阻的前提下，有效优化器件的动态特性；通过设置栅源电极之间的ESD保护，防止器件在瞬态高电压大电流情况下不被损坏。
本发明授权一种深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种深槽填充结构的950V超结MOS器件，其特征在于：包括N+衬底，N+衬底正面向上依次设有连续的一次N型外延和二次N型外延，二次N型外延上设有凹陷的JFET注入区，一次N型外延和二次N型外延的两侧分别设有深槽填充P柱区，深槽填充P柱区表面设有Pbody注入区，Pbody注入区和二次N型外延表面设有栅极氧化层，栅极氧化层上设有多晶硅淀积，多晶硅淀积为间断的结构，栅极氧化层上还设有凹陷的N+源极注入区，N+源极注入区接触Pbody注入区，栅极氧化层上还设有介质层，介质层包覆多晶硅淀积并接触N+源极注入区和JFET注入区； N+衬底背面设有背面金属电极，栅极氧化层正面设有正面金属电极，正面金属电极包覆介质层并接触N+源极注入区； 栅极氧化层上设有栅源ESD保护区，栅源ESD保护区顶部周沿为源极金属，栅源ESD保护区顶部中心为栅极金属，源极金属对应正面金属电极，栅源ESD保护区内设有ESD二极管串N型区，背面金属电极对应漏极金属。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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