深圳市汉嵙新材料技术有限公司蔡比亚获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市汉嵙新材料技术有限公司申请的专利双极性集流体、双极性极片及固态电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223193822U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520989729.X，技术领域涉及：H01M4/66；该实用新型双极性集流体、双极性极片及固态电池是由蔡比亚;王荣福;朱海峰;袁昌理设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本双极性集流体、双极性极片及固态电池在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种双极性集流体、双极性极片及固态电池。上述双极性集流体包括基底电极层以及溅射电极层，基底电极层的第一侧面分布有多个第一沉积槽，第一沉积槽的内壁由槽底至槽口方向逐渐收窄，溅射电极层沉积于第一侧面，溅射电极层包括填充于第一沉积槽的填充部以及位于第一沉积槽外的主体部，主体部远离基底电极层的一侧在与第一沉积槽对应的位置形成有工艺槽，工艺槽的内壁由槽底至槽口方向逐渐收窄。溅射电极层与基底电极层相互卡锁，不易相互脱离，溅射电极层也会在远离基底电极层的一侧上形成工艺槽，内壁由槽底至槽口方向逐渐收窄，这使得后续沉积在溅射电极层的层也能够与溅射电极层相互卡锁，提高层间结合力。
本实用新型双极性集流体、双极性极片及固态电池在权利要求书中公布了：1.一种双极性集流体，其特征在于，包括基底电极层以及溅射电极层，所述基底电极层的第一侧面分布有多个第一沉积槽，所述第一沉积槽的内壁由槽底至槽口方向逐渐收窄，所述溅射电极层沉积于所述第一侧面，所述溅射电极层包括填充于所述第一沉积槽的填充部以及位于所述第一沉积槽外的主体部，所述主体部远离所述基底电极层的一侧在与所述第一沉积槽对应的位置形成有工艺槽，所述工艺槽的内壁由槽底至槽口方向逐渐收窄。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市汉嵙新材料技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区燕山大道66号厂房101、201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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