成都纺织高等专科学校扈映茹获国家专利权
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龙图腾网获悉成都纺织高等专科学校申请的专利一种低功耗薄膜电阻型氢气传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120121674B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510616268.6，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种低功耗薄膜电阻型氢气传感器及其制备方法是由扈映茹;周建民;刘红;虞明澍;孙福才;熊亨财;曾培;余茹茂;吴双红设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低功耗薄膜电阻型氢气传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于传感器技术领域，涉及一种低功耗薄膜电阻型氢气传感器及其制备方法。该氢气传感器包括纳米阵列氢气传感器、电阻与存储电容；纳米阵列氢气传感器所在支路与存储电容所在支路并联；纳米阵列氢气传感器所在支路串联设置有电阻；纳米阵列氢气传感器所在支路以及存储电容所在支路由电源供电。本发明利用纳米阵列氢气传感器在有氢气激发时，纳米阵列氢气传感器发生电化学反应变成导体，利用存储电容作为电源，实现纳米阵列氢气传感器低功耗工作；通过将工作电压控制在设定范围内，能够确保电容在每次充放电过程中都能快速达到稳定状态，从而提高了整个电路的响应速度和效率，且通过电桥测量得到的电阻值更加准确和稳定。
本发明授权一种低功耗薄膜电阻型氢气传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗薄膜电阻型氢气传感器，其特征在于，包括纳米阵列氢气传感器、电阻与存储电容；纳米阵列氢气传感器所在支路与存储电容所在支路并联；纳米阵列氢气传感器所在支路串联设置有电阻；纳米阵列氢气传感器所在支路以及存储电容所在支路由电源供电； 在无氢气时，纳米阵列氢气传感器处于绝缘状态；在有氢气时，纳米阵列氢气传感器发生电化学反应导通，存储电容进入充电状态，充电完成后关断电源，存储电容器进入放电状态为纳米阵列氢气传感器所在支路供电；存储电容放电设定时间后，重新打开电源使得存储电容重新进入充电状态；存储电容的时间常数为纳米阵列氢气传感器与电阻之和与存储电容的电容值的乘积；根据时间常数控制电源的打开与关断，电阻的阻值为纳米阵列氢气传感器阻值的0.1%~10%，将存储电容的电压保持在完全充放电电压的设定比例，使得存储电容的电压控制在0.63μV到0.95μV运行。
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