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龙图腾网获悉珠海城市职业技术学院申请的专利一种基于数字孪生模型的MOCVD设备沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119378151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411473492.6，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权一种基于数字孪生模型的MOCVD设备沉积方法是由李亚;张云柯;陶麒鹦;唐春华设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于数字孪生模型的MOCVD设备沉积方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于数字孪生模型的MOCVD设备沉积方法，包括以下步骤：步骤一、根据实际MOCVD设备的结构和尺寸条件，建立MOCVD设备的数字孪生几何模型，步骤二、构建仿真的数字孪生模型；步骤三、通过工艺参数数据范围，CFD对数字孪生几何模型进行数值模拟，得到不同的工艺参数对应的流动状态数据，以及在该流动状态下的模拟生长速率；步骤四、对模拟生长速率进行修正；步骤五、获得不同工艺参数下的层流、紊流状态图，并形成可视化工控平台；步骤六、在MOCVD设备中对产品进行沉积。本发明构建出MOCVD腔体稳定性的数字孪生体，建立可直观、交互式的可视化平台，以数字模型与实验，共同指导高质量外延材料的设计和优化，实现高质量、高效率和高可靠性的薄膜外延技术和高端氧化物半导体MOCVD装备的研发提供理论基础。

本发明授权一种基于数字孪生模型的MOCVD设备沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种基于数字孪生模型的MOCVD设备沉积方法，其特征是：包括以下步骤： 步骤一、根据实际MOCVD设备的结构和尺寸条件，建立MOCVD设备的数字孪生几何模型，并将MOCVD设备的数字孪生几何模型离散化为网格； 步骤二、获取MOCVD设备工业参数传感器采集的多个不同的工艺参数数据，将工艺参数数据输入到CFD计算流体力学软件，作为数字孪生几何模型的数值仿真边界条件，构建仿真的数字孪生模型； 步骤三、通过工艺参数数据范围，CFD对数字孪生几何模型进行数值模拟，得到不同的工艺参数对应的流动状态数据，以及在该流动状态下的模拟生长速率； 步骤四、根据实际实验，获得MOCVD设备在不同的工艺参数下的实际生长速率，使用实际生长速率与模拟生长速率对比，对模拟生长速率进行修正； 步骤五、分析步骤三得到的流动状态数据，获得不同工艺参数下的层流、紊流状态图，进而确定MOCVD设备处于层流状态下的稳定性工艺参数取值范围以及该稳定性工艺参数取值范围对应的修正后的模拟生长速率，并形成可视化工控平台； 步骤六、在可视化工控平台选择与实际沉积需求对应的稳定性工艺参数，在MOCVD设备中对产品进行沉积； 步骤三中，CFD对数字孪生几何模型进行数值模拟时，对模拟条件进行简化，使得步骤四中得到的实际生长速率与模拟生长速率具有区别； 简化的模拟条件具体为： 1设气体是具有连续性的理想气体，气体按不可压缩处理； 2忽略气体热辐射； 3基座温度视为固定温度，外壁面可视为等温或绝热条件； 4忽略各壁面与气体相对运动所造成的能量损耗，流体与反应室接触的所有壁面均采用无滑移边界条件。

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