吉光半导体科技有限公司王小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉吉光半导体科技有限公司申请的专利一种高散热效率的面阵VCSEL获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223194231U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422521403.2，技术领域涉及：H01S5/024；该实用新型一种高散热效率的面阵VCSEL是由王小龙;高士涵;佟存柱;于舒睿设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高散热效率的面阵VCSEL在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体激光器技术领域，具体提供一种高散热效率的面阵VCSEL，包括周期性排布的发光单元阵列，相邻发光单元之间存在较深的刻蚀沟壑，每个发光单元均设有衬底、DBR结构、有源层、电流限制层、电极以及设置在每个发光单元侧面和连通区域的绝缘层，在绝缘层的全部区域镀有石墨烯，或者根据热仿真结果，仅在热分布区域镀石墨烯，形成图案化的石墨烯散热层。本实用新型能够有效优化面阵VCSEL的局部散热问题，平衡不同发光单元间的温差，避免芯片局部发热严重，降低器件的性能。
本实用新型一种高散热效率的面阵VCSEL在权利要求书中公布了：1.一种高散热效率的面阵VCSEL，包括衬底以及设于所述衬底上的第一DBR，其特征在于，所述第一DBR上设有多个发光单元，所述发光单元包括： 有源层，其用于提供激光增益，所述有源层的上方和下方均设有间隔层； 电流限制层，其设于所述有源层内，用于限制电流路径； 第二DBR，其设于所述有源层上方的电流限制层的上表面，所述第二DBR的对光反射率小于所述第一DBR的对光反射率； 第一电极和第二电极，分别设于所述衬底的下表面和所述第二DBR的上表面； 所述发光单元的侧表面及相邻发光单元的底部连通平面上均设有绝缘层，并在所述绝缘层上设有石墨烯散热层。
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