芯恩(青岛)集成电路有限公司孔贺廷获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种半导体工艺设备的电荷中和装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223193749U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422471580.4，技术领域涉及：H01J37/02；该实用新型一种半导体工艺设备的电荷中和装置是由孔贺廷;杨铭哲;刘瑞设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体工艺设备的电荷中和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体工艺设备的电荷中和装置，包括反应腔室，所述反应腔室侧壁开设有传送通道，所述传送通道用于转入或转出晶圆；离子发生设备，设置于所述传送通道的内侧壁，用于提供中和电荷的离子；在工作状态中，所述离子发生设备对气体进行电离，产生阴阳离子，在晶圆转移、反应腔室的清理过程中进行电荷中和。本发明能够对晶圆加工过程中产生的电荷进行中和，能减小了在晶圆沉积过程中及沉积后，晶圆表面电荷残余导致晶圆质量受损的问题。
本实用新型一种半导体工艺设备的电荷中和装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备的电荷中和装置，其特征在于， 包括反应腔室100，所述反应腔室100侧壁开设有传送通道110，所述传送通道110用于转入或转出晶圆； 离子发生设备200，设置于所述传送通道110的内侧壁，用于提供中和电荷的离子； 在工作状态中，所述离子发生设备200对气体进行电离，产生阴阳离子，在晶圆加工反应完后的反应物抽离过程、晶圆转移、反应腔室100的清理过程中进行电荷中和。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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