浙江欣芯微机电制造有限公司孙晨获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江欣芯微机电制造有限公司申请的专利硅表面引线结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119284830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411414086.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权硅表面引线结构的形成方法是由孙晨;赵聪;李航设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅表面引线结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅表面引线结构的形成方法，可以在普通硅片表面形成可绝缘的引线结构，包括：提供基底，所述基底的材料为低阻硅，所述基底沿平行于基底表面的第一方向依次为第一隔离区、引线区以及第二隔离区；形成覆盖基底顶面的第一氧化层；去除部分第一氧化层以及其下方的部分厚度的基底材料，形成隔离沟道；形成覆盖所述隔离沟道侧壁的第二氧化层；气态各项同性腐蚀所述隔离沟道的底面，形成扩展沟道；利用湿氧工艺氧化所述扩展沟道，形成覆盖所述扩展沟道的表面的第四氧化层，该第四氧化层连通相邻的两个所述扩展沟道侧壁并与所述第二氧化层共同形成引线隔离结构。本发明可以在降低器件成本的同时提高器件性能。
本发明授权硅表面引线结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种硅表面引线结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底，所述基底的材料为低阻硅，所述基底沿平行于基底表面的第一方向依次为第一隔离区、引线区以及第二隔离区； 形成覆盖所述基底顶面的第一氧化层； 去除部分所述第一氧化层以及其下方的部分厚度的基底材料，分别在所述第一隔离区、所述第二隔离区形成隔离沟道； 形成第二氧化层，该第二氧化层覆盖所述隔离沟道的侧壁； 气态各向同性腐蚀所述隔离沟道的底面，在所述隔离沟道下方形成扩展沟道，该扩展沟道的一侧侧壁延伸至所述引线区； 利用湿氧工艺氧化所述扩展沟道，形成覆盖所述扩展沟道的表面的第四氧化层，该第四氧化层连通相邻的两个所述扩展沟道侧壁并与所述第二氧化层共同形成引线隔离结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江欣芯微机电制造有限公司，其通讯地址为：313200 浙江省湖州市德清县阜溪街道志远北路457号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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