深圳市呈泰半导体科技有限公司周国强获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市呈泰半导体科技有限公司申请的专利一种极致化应用的高功率LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223195085U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422442987.4，技术领域涉及：H10H20/831；该实用新型一种极致化应用的高功率LED芯片是由周国强;曹应龙设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种极致化应用的高功率LED芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种极致化应用的高功率LED芯片，涉及大功率GaN基LED芯片领域，包括：电镀金属基板；电极，设置在所述电镀金属基板上；导电材料，设置在所述电镀金属基板上，且与所述电极连接；多量子阱发光层MQW，设置在所述电镀金属基板上，且与所述导电材料连接；SiO2钝化保护层，设置在所述电镀金属基板上，且环设于所述电极、导电材料、多量子阱发光层MQW的外表面。本实用新型提供一种极致化应用的高功率LED芯片，解决了在大电流工作时电流均匀化、芯片的散热、芯片工作的稳定性等方面不足的技术问题。
本实用新型一种极致化应用的高功率LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种极致化应用的高功率LED芯片，其特征在于，包括： 电镀金属基板（1）； 电极，设置在所述电镀金属基板（1）上； 导电材料，设置在所述电镀金属基板（1）上，且与所述电极连接； 多量子阱发光层MQW（4），设置在所述电镀金属基板（1）上，且与所述导电材料连接； SiO2钝化保护层，设置在所述电镀金属基板（1）上，且环设于所述电极、导电材料、多量子阱发光层MQW（4）的外表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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