长春大学安涛获国家专利权
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龙图腾网获悉长春大学申请的专利一种超疏水氧化铈膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116445875B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310619317.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种超疏水氧化铈膜及其制备方法是由安涛;李爽;张巍;杨建昌;霍根发;周法权;王伟春设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超疏水氧化铈膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于超疏水材料技术领域，具体涉及一种超疏水氧化铈膜及其制备方法。本发明在包含氩气和氧气的混合气体气氛中，以Ce单质作为靶材，进行掠入射磁控溅射，在衬底表面得到所述超疏水CeO2膜；所述衬底表面具有微米级阵列结构；所述掠入射磁控溅射的掠射角为45~55°。本发明采用掠射角磁控溅射方法，在具有微米级阵列结构的衬底表面上制备CeO2膜，成功构筑了微米‑纳米复合结构，且向外凸起的纳米结构具有更大的比表面积；由此，本发明制备的超疏水氧化铈膜的与水的接触角达到154.2°，具有优异的超疏水性能。
本发明授权一种超疏水氧化铈膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超疏水氧化铈膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在包含氩气和氧气的混合气体气氛中，以Ce单质作为靶材，进行掠入射磁控溅射，在衬底表面得到所述超疏水CeO2膜；所述衬底表面具有微米级阵列结构，所述微米级阵列结构由阵列单元构成，所述阵列单元为微米级圆锥；所述掠入射磁控溅射的掠射角为45～55°，所述掠入射磁控溅射的时间为2～4h； 所述超疏水氧化铈膜具有微米级阵列结构，所述微米级阵列结构由阵列单元构成，所述阵列单元为微米级圆锥，所述阵列单元的表面形成纳米凸起结构，所述纳米凸起结构为纳米刺状凸起结构。
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