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龙图腾网获悉凌北卿申请的专利具有肖特基二极管的非易失性存储元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210059879.1，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权具有肖特基二极管的非易失性存储元件是由凌北卿;吴南雷设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有肖特基二极管的非易失性存储元件在说明书摘要公布了：一种具有肖特基二极管的非易失性存储元件。该非易失性存储元件包含：绝缘层，为电绝缘；肖特基二极管，形成于绝缘层上的一单晶半导体层，其材料可以是硅、锗、六方氮化硼或砷化镓；写入导线，具有导电性，且该写入导线与该肖特基二极管的前端电连接；存储单元，位于肖特基二极管上，该存储单元与该肖特基二极管的后端电连接；以及选择导线，位于存储单元上，与存储单元电连接；其中，于该非易失性存储元件被选择写入一数据时，一电流流经该肖特基二极管，以将该数据写入该存储单元。

本发明授权具有肖特基二极管的非易失性存储元件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储元件，其特征在于，包含： 一绝缘层，为电绝缘； 一第一肖特基二极管，包括至少部分由该绝缘层上的一单晶半导体层形成的第一前端； 一第二肖特基二极管，包括至少部分由该绝缘层上的该单晶半导体层形成的第二后端； 一第一写入导线，具有导电性，且该第一写入导线与该第一肖特基二极管的该第一前端电连接； 一第二写入导线，具有导电性，且该第二写入导线与该第二肖特基二极管的一第二前端电连接； 一存储单元，位于该第一肖特基二极管上，该存储单元与该第一肖特基二极管的一第一后端电连接； 一选择导线，具有导电性，位于该存储单元上，与该存储单元电连接； 一第一连接导电单元，用以将该存储单元与该第一肖特基二极管的该第一后端电连接，其中该第一连接导电单元的一部分堆叠并连接于该第一后端；以及 一第二连接导电单元，用以将该第一连接导电单元与该第二肖特基二极管的该第二后端电连接，以将该存储单元与该第二后端电连接； 其中，于该非易失性存储元件被选择写入一第一数据时，一第一电流流经该第一肖特基二极管，以将该第一数据写入该存储单元； 其中，于该非易失性存储元件被选择写入一第二数据时，一第二电流流经该第二肖特基二极管，以将该第二数据写入该存储单元； 其中该第一写入导线堆叠并连接于该绝缘层上，且该第一前端堆叠并连接于该第一写入导线上，且该第一后端堆叠并连接于该第一前端上； 其中该第二连接导电单元的一第一部分堆叠并连接于该绝缘层上，且该第二连接导电单元的一第二部分堆叠并连接于该第一部分上，且该第一连接导电单元的另一部分堆叠并连接于该第二部分上； 其中该第二后端堆叠并连接于该第一部分上，且该第二前端堆叠并连接于该第二后端上，且该第二写入导线堆叠并连接于该第二前端上； 其中该第一写入导线与该第一部分由同一金属沉积工艺步骤所形成。

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