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龙图腾网获悉江苏长电科技股份有限公司申请的专利封装结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111496539.7，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权封装结构及制作方法是由林耀剑;刘硕;杨丹凤;周青云;徐晨;何晨烨设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种封装结构及制作方法，包括：电性连接的下部封装体和上部封装体；下部封装体包括预制互联硅芯堆叠结构和围绕预制互联硅芯堆叠结构周边的第一塑封层；预制互联硅芯堆叠结构包括硅互联层，硅互联层包括相背的第一表面和第二表面；第一表面上层叠后道重布线堆叠层和第一预制重布线堆叠层，后道重布线堆叠层和第一预制重布线堆叠层电性连接；第二表面上设置钝化层；硅互联层包括硅基板和嵌设于硅基板内的若干硅通孔中的若干第一预制导通柱，每一第一预制导通柱包括相对的第一端和第二端，第一端自第一表面露出，且第二端自钝化层远离第二表面的一侧露出；上部封装体设置于第一预制重布线堆叠层上方，且与第一预制重布线堆叠层电性连接。

本发明授权封装结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括： 下部封装体，设置于所述下部封装体上方的上部封装体，所述下部封装体和所述上部封装体电性连接； 所述下部封装体包括预制互联硅芯堆叠结构和围绕所述预制互联硅芯堆叠结构周边设置的第一塑封层； 所述预制互联硅芯堆叠结构包括硅互联层，所述硅互联层包括相背的第一表面和第二表面；所述第一表面上依序层叠后道重布线堆叠层和第一预制重布线堆叠层，所述后道重布线堆叠层和所述第一预制重布线堆叠层电性连接；所述第二表面上设置钝化层； 所述硅互联层包括硅基板和嵌设于所述硅基板内的若干硅通孔中的若干第一预制导通柱，每一所述第一预制导通柱包括相对的第一端和第二端，所述第一端自所述第一表面露出，且所述第二端自所述钝化层远离第二表面的一侧露出； 其中，所述上部封装体设置于所述第一预制重布线堆叠层上方，且与所述第一预制重布线堆叠层电性连接； 所述预制互联硅芯堆叠结构还包括第二预制重布线堆叠层，所述第二预制重布线堆叠层设置于所述钝化层远离所述第二表面的一侧，且所述第二预制重布线堆叠层和所述硅互联层中的每一第一预制导通柱的所述第二端电性连接； 所述下部封装体还包括：预制芯片封装层，所述预制芯片封装层包括：若干第二预制导通柱、第一芯片和预制塑封层，所述若干第二预制导通柱和所述第一芯片分别埋入所述预制塑封层中，且所述第一塑封层还包覆于所述预制塑封层的外侧； 其中，所述预制芯片封装层设置于所述第一预制重布线堆叠层远离所述硅互联层一侧；或者，所述预制芯片封装层设置于所述第二预制重布线堆叠层远离所述硅互联层一侧； 其中，所述预制互联硅芯堆叠结构中的硅互联层包括相背的第一表面和第二表面、硅基板，以及形成于所述硅基板内的若干硅通孔和嵌设于所述若干硅通孔中的若干第一预制导通柱。

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