中国电子科技集团公司第四十三研究所刘俊永获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十三研究所申请的专利一种QFN封装外壳插入损耗测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114355053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111502440.3，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种QFN封装外壳插入损耗测试方法是由刘俊永设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种QFN封装外壳插入损耗测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种QFN封装外壳插入损耗测试方法，在QFN封装外壳的加工版图上提取复制两次高频IO传输线的图形和结构并设计测试陪片，使两个高频IO传输线的图形和结构互为镜像进行串联；将测试陪片与QFN封装外壳采用同样的材料工艺且同版图同批次进行加工制作；使用插入损耗数值检测仪器通过连接组件分别连接制作好的测试陪片上的传输线的两端进行插入损耗值检测；再将插入损耗检测值除以2得到单个QFN封装外壳的高频IO传输线的插入损耗数值。本发明利用QFN封装外壳整版阵列批量生产的工艺特点和两根同质传输线串联插入损耗翻倍的特性，复制两次QFN封装外壳的高频IO传输线并镜像串联制作成测试陪片，以其作为插入损耗的测试样本，无需引入其他结构，对QFN封装外壳产品本身不造成损伤，能够实现高精度的批量测试。
本发明授权一种QFN封装外壳插入损耗测试方法在权利要求书中公布了：1.一种QFN封装外壳插入损耗测试方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在QFN封装外壳加工版图上提取并复制两次高频IO传输线的图形和结构； S2、设计测试陪片，使两个高频IO传输线的图形和结构互为镜像并进行串联；互为镜像的两个高频IO传输线的插入损耗相等； S3、将测试陪片与QFN封装外壳采用同样的材料工艺且同版图同批次进行加工制作； S4、使用插入损耗数值检测仪器通过连接组件分别连接制作好的测试陪片上的传输线的两端进行插入损耗值检测； S5、将插入损耗数值检测仪器检测出的插入损耗值除以2，即可得到单个QFN封装外壳的高频IO传输线的插入损耗数值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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