华虹半导体(无锡)有限公司许昭昭获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111494126.5，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权半导体结构及其形成方法是由许昭昭设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：半导体结构及其形成方法，其中一种半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底上的选择栅结构；位于所述选择栅结构上的辅助栅结构；位于所述选择栅结构和所述辅助栅结构两侧的衬底上的侧墙栅结构，所述侧墙栅结构包括控制栅结构和浮栅结构，所述浮栅结构位于所述控制栅结构的侧壁与所述选择栅结构和所述辅助栅结构的侧壁之间以及位于所述控制栅结构与所述衬底之间。通过减薄所述选择栅结构中的栅介质层的厚度，能够延缓短沟道效应并增加所述选择栅结构的控制能力。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的选择栅结构； 位于所述选择栅结构上的辅助栅结构； 位于所述选择栅结构和所述辅助栅结构两侧的衬底上的侧墙栅结构，所述侧墙栅结构包括控制栅结构和浮栅结构，所述浮栅结构位于所述控制栅结构的侧壁与所述选择栅结构和所述辅助栅结构的侧壁之间以及位于所述控制栅结构与所述衬底之间，所述浮栅结构呈L型，所述选择栅结构和所述辅助栅结构位于所述浮栅结构侧壁，所述浮栅结构的顶部与所述辅助栅结构的顶部齐平，所述控制栅结构顶部低于所述浮栅结构的顶部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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