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龙图腾网获悉强茂股份有限公司申请的专利表面黏着式功率半导体封装元件及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241139B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111359091.4，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权表面黏着式功率半导体封装元件及其制法是由何中雄;洪伟铭;黄文良;沈顺吉;王建钧;李季学设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本表面黏着式功率半导体封装元件及其制法在说明书摘要公布了：一种表面黏着式功率半导体封装元件包含一晶片、一塑封层、一导电镀层；其中，晶片的正面及背面分别设有信号接点，该塑封层包覆该晶片，且在该塑封层中形成有第一开孔及第二开孔，该第一开孔位在晶片侧边，该第二开孔对应延伸至该晶片其正面的信号接点，在各第一开孔与第二开孔内部以导电层作为导电使用，该晶片正面的信号接点电性连接第二开孔中的导电层，该晶片背面的信号接点通过该导电镀层电性连接第一开孔中的导电层；而该第一开孔及第二开孔中的导电层凸出于该塑封层表面，构成表面黏着式功率半导体封装元件的导电端子；借此结构，本发明不必使用昂贵成本的黏晶材料，便可实现晶片的电性连接。

本发明授权表面黏着式功率半导体封装元件及其制法在权利要求书中公布了：1.一种表面黏着式功率半导体封装元件，包含： 一晶片，具有相对的一正面及一背面，该正面及该背面分别设有信号接点，其中该晶片为一功率半导体晶片； 一塑封层，包覆该晶片，且在该塑封层中形成有第一开孔及第二开孔，该第一开孔位在晶片侧边，该第二开孔对应延伸至该晶片其正面的信号接点，在该第一开孔与该第二开孔内部填充一导电层，其中，该第二开孔中的导电层电性连接该晶片其正面的信号接点； 一导通层，设置在该晶片的背面并延伸电性连接该第一开孔中的导电层以及该晶片背面的信号接点，其中，该导通层是单一导电镀层，该导电镀层的侧面平齐该塑封层的外侧面； 该第一开孔及该第二开孔中的导电层凸出于该塑封层的同一表面并作为该表面黏着式功率半导体封装元件的导电端子，每一该第一开孔、该第二开孔的位置构成一独立的该导电端子，该晶片背面的该信号接点通过该导电镀层电性连接到该晶片周围的其中一个该导电端子，形成信号传输路径; 在各导电端子的表面上具有一接点防护层； 在各导电端子之间分布一阻焊层，该阻焊层附着在该塑封层的表面上； 在该导通层的背面具有一绝缘保护层。

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