上海华虹宏力半导体制造有限公司王宁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利分栅存储器阵列结构及操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111270187.3，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权分栅存储器阵列结构及操作方法是由王宁;张可钢设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本分栅存储器阵列结构及操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分栅存储器阵列结构，所述的分栅存储器阵列结构由多个结构相同的存储单元在X方向和Y方向形成存储阵列；所述存储阵列放置于阱中；各个所述的存储单元为分栅结构形成选择管和存储管；在所述的存储阵列中，在Y方向上，每相邻的两个存储单元采用共源连接，即每相邻的两个存储单元的选择管为共源连接；共源相邻的两个存储单元的两个选择栅短接之后接X方向的选择管字线WL；每共源相邻的两个存储单元的存储栅分别接存储栅字线WLSa、WLSb；所述存储阵列中位于同一列上的所有存储管的漏极均与对应该列的Y方向的位线BL连接。本发明使用共源相邻的分栅结构存储器阵列结构，存储单元的结构更加紧凑，有效缩减了存储单元的面积。
本发明授权分栅存储器阵列结构及操作方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅存储器阵列结构装置，其特征在于：所述的分栅存储器阵列结构由多个结构相同的存储单元组成，在X方向和Y方向上分布形成存储阵列；所述存储阵列放置于阱中；各个所述的存储单元为分栅结构形成选择管和存储管，包含一个选择栅以及一个存储栅； 在所述的存储阵列中，在Y方向上，每相邻的两个存储单元采用共源连接，即每相邻的两个存储单元的选择管共享源区；共源相邻的两个存储单元的两个选择栅短接之后接X方向的选择栅字线WL；每共源相邻的两个存储单元的存储栅分别接存储栅字线WLSa、WLSb； 所述存储阵列中位于同一列上的所有存储管的漏极均与对应该列的Y方向的位线BL连接； 所述的存储单元中的分栅结构形成选择管和存储管，存储管和选择管共享一个沟道，省去中间的源漏区；共源连接的相邻的两个存储单元中，两个选择管的源区共享，减少了两个往外引出的接触孔；在Y方向上只需一条位线BL。
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