美光科技公司M·S·威斯康姆获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114121098B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110988559.X,技术领域涉及:G11C16/08;该发明授权用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统是由M·S·威斯康姆;S·E·史密斯;G·L·霍韦;B·W·休伯;T·M·布鲁尔设计研发完成,并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统在说明书摘要公布了:本申请案涉及用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统。在一些实施例中,所述存储器装置可从主机装置接收针对包含于所述存储器装置中的存储器阵列的行的命令。所述存储器装置可确定所述命令针对与所述行相关联的两个或多于两个列,其中每一列与一群组存储器胞元耦合。所述存储器装置可激活所述行以使用存储于所述存储器装置的寄存器中的一组预定数据写入所述两个或多于两个列。随后,所述存储器装置可基于将所述一组预定数据写入到所述两个或多于两个列来取消激活字线。
本发明授权用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种用于存储器装置的方法,其包括: 在所述存储器装置处接收针对所述存储器装置的存储器阵列的行的命令,其中所述行与一组列相关联; 响应于所述命令而激活所述行; 将数据从所述存储器装置的单个寄存器写入到所述组中的两个或多于两个列;及 至少部分基于将所述数据写入到所述组中的所述两个或多于两个列来取消激活所述行, 其中将所述数据从所述存储器装置的所述单个寄存器写入到所述组中的所述两个或多于两个列包括基于来自所述单个寄存器的所述数据来写入重复位模式。
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