中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杜杳隽获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115903368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110988906.9,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由杜杳隽设计研发完成,并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了:一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质,光学邻近修正方法包括:提供目标图形;将目标图形的边分割为多个第一线段,包括两端点、位于两端点间的第一采样点;利用第一线段,对目标图形进行第一光学邻近修正处理,形成第一初始修正后图形、相应第一模拟图形;判断端点处,第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准;未达到修正标准时,在端点处设立第二采样点,在第二采样点两侧截取部分长度的第一线段平移至目标位置,构成第二线段,剩余第一线段作为第三线段,形成第二初始修正后图形;利用第二线段和第三线段,对第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理,形成光罩图形。本发明提高光学邻近修正的效果。
本发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括: 提供目标图形; 将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段,所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点; 利用多个所述第一线段,对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理,直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内,形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形; 判断每个端点位置处,所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准; 当所述端点位置处,所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时,将所述第一初始修正后图形作为光罩图形; 当所述端点位置处,所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时,在所述端点位置处设立第二采样点,且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中,截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置,用于构成第二线段,所述第二采样点位于所述第二线段上,剩余所述第一线段作为第三线段,所述第三线段与所述第二线段交替设置,形成第二初始修正后图形; 利用多个所述第二线段和第三线段,对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理,直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内,形成光罩图形。
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