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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利静电保护结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110658518.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护结构及其制备方法是由孙俊设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种静电保护结构及其制备方法，包括衬底、埋层、第一深阱、第二深阱及第三深阱，第一深阱中设有相反导电类型的阱区和相同导电类型的重掺杂区，第二深阱及第三深阱中分别设有相同导电类型的阱区和重掺杂区，且第一深阱、第一阱区及第二阱区浮空，第一重掺杂区引出接静电电压，第六重掺杂区接地。当静电端口输入正电压时，第一重掺杂区、第一阱区、第二重掺杂区、第三重掺杂区、第二阱区及第四重掺杂区共同构成相互串联的晶体管以实现进行正向耐压；当静电端口输入负电压时，埋层、第二深阱、第三阱区、第四阱区、第三深阱、衬底及第一深阱形成寄生晶体管，第一深阱与第一阱区形成二极管，通过寄生晶体管和二极管可以进行反向耐压。

本发明授权静电保护结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种静电保护结构，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电类型； 埋层，位于所述衬底中，具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 第一深阱，位于所述埋层上表面且浮空设置，具有第一导电类型； 第二深阱，位于所述埋层上表面且部分区域与所述衬底接触，具有第二导电类型，所述第二深阱与所述第一深阱相邻接且位于所述第一深阱外围； 第三深阱，位于所述埋层上且完全与所述衬底接触，具有第一导电类型，所述第三深阱与所述第二深阱相邻接且位于所述第二深阱外围； 其中，所述第一深阱的上表层设有相互隔离且浮空设置的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区均具有第二导电类型，所述第一阱区的上表层设有相互隔离的第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第二阱区的上表层设有相互隔离的第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区、所述第三重掺杂区及所述第四重掺杂区具有第一导电类型，所述第一重掺杂区引出作为第一电极并与静电端口连接，所述第二重掺杂区引出作为第二电极，所述第三重掺杂区引出作为第三电极且与所述第二电极电性连接，所述第四重掺杂区引出作为第四电极； 所述第二深阱的上表层设有第三阱区，所述第三阱区具有第二导电类型，所述第三阱区的上表层设有浮空的第五重掺杂区，所述第五重掺杂区具有第二导电类型； 所述第三深阱的上表层设有第四阱区，所述第四阱区具有第一导电类型，所述第四阱区的上表层设有第六重掺杂区，所述第六重掺杂区具有第一导电类型，所述第六重掺杂区引出并与所述第四电极共接于地； 所述静电保护结构还包括第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构位于所述第一深阱的上表层，且从所述第一深阱的上表面贯穿至所述第一阱区，所述第一隔离结构与所述第一重掺杂区、第二重掺杂区交叉排布；所述第二隔离结构位于所述第一深阱的上表层，且从所述第一深阱的上表面贯穿至所述第二阱区，所述第二隔离结构与所述第三重掺杂区、第四重掺杂区交叉排布；所述第一隔离结构和第二隔离结构是浅槽隔离结构。

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