三星电子株式会社郑太远获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113963951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110155931.9，技术领域涉及：H01G4/232；该发明授权介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元是由郑太远;朴贤哲;梁大珍;丁度源;赵奇迎设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元在说明书摘要公布了：提供介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元，所述介电材料包括由式1表示的化合物，其中，在式1中，M为第2族元素，A为三价元素，以及0x1，0a1，0b1，0c1，0d1，a+b＝1和c+d＝1。[式1]1‑xKaNabNbO3·xMAcSbdO3。
本发明授权介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元在权利要求书中公布了：1.介电材料，包括由式1表示的化合物： [式1] 1-xKaNabNbO3·xMAcSbdO3 其中，在式1中，K为钾，Na为钠，Nb为铌，Sb为锑，O为氧， M为第2族元素， A为三价元素，以及 0x1，0a1，0b1，0c1，0d1，a+b＝1和c+d＝1。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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