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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种驱动背板及其制作方法、探测基板及探测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110043823.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种驱动背板及其制作方法、探测基板及探测装置是由孟凡理;陈江博;李泽源设计研发完成，并于2021-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种驱动背板及其制作方法、探测基板及探测装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种驱动背板及其制作方法、探测基板及探测装置，涉及光电技术领域。本发明通过在衬底基板上设置多个驱动模块，每个驱动模块包括复位晶体管、读取晶体管、放大晶体管和存储电容，放大晶体管中的有源层的材料为非晶硅或氧化物半导体。通过在驱动背板中设置多个放大晶体管，并采用非晶硅或氧化物半导体作为放大晶体管中有源层的材料，使得驱动背板中的各个放大晶体管中的载流子迁移率较为均匀，因此，可提高驱动背板中的各个放大晶体管的增益均匀性，避免放大晶体管放大后的电信号的强度不均匀而产生的图像噪声甚至坏点和坏线，从而可提高根据放大后的信号线生成的图像的成像质量。

本发明授权一种驱动背板及其制作方法、探测基板及探测装置在权利要求书中公布了：1.一种驱动背板，其特征在于，包括：衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个驱动模块，每个所述驱动模块包括复位晶体管、读取晶体管、放大晶体管和存储电容； 所述复位晶体管，与所述存储电容连接，被配置为对所述存储电容进行复位； 所述存储电容，与光敏器件连接，被配置为存储所述光敏器件生成的电信号； 所述放大晶体管，与所述存储电容连接，被配置为对所述存储电容中存储的电信号进行放大处理； 所述读取晶体管，与所述放大晶体管连接，被配置为读取所述放大晶体管放大后的所述电信号； 其中，所述放大晶体管中的有源层的材料为非晶硅或氧化物半导体； 所述复位晶体管包括依次设置在所述衬底基板一侧的第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、层间介质层和第一源漏电极； 其中，所述第一源漏电极中的第一源极通过贯穿所述层间介质层的第一过孔与所述第一有源层连接，所述第一源漏电极中的第一漏极通过贯穿所述层间介质层的第二过孔与所述第一有源层连接； 所述读取晶体管包括依次设置在所述衬底基板一侧的第二有源层、所述第一栅绝缘层、第二栅极、所述层间介质层和第二源漏电极； 所述第二源漏电极中的第二源极通过贯穿所述层间介质层的第三过孔与所述第二有源层连接，所述第二源漏电极中的第二漏极通过贯穿所述层间介质层的第四过孔与所述第二有源层连接； 其中，所述第一有源层与所述第二有源层同层设置，所述第一栅极与所述第二栅极同层设置，所述第一源漏电极与所述第二源漏电极同层设置； 所述驱动背板还包括设置在所述衬底基板与所述第一有源层之间的缓冲层和第二栅绝缘层，所述缓冲层设置在所述第二栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧； 所述放大晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的第三栅极、所述第二栅绝缘层、第三有源层和第三源漏电极；所述第二源漏电极中的第二源极通过贯穿所述层间介质层的第五过孔与所述第三源漏电极中的第三漏极连接； 其中，所述第三有源层在所述衬底基板上的正投影与所述缓冲层在所述衬底基板上的正投影不存在重合区域。

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