株式会社德山石川浩一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社德山申请的专利多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114502509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080069173.2，技术领域涉及：C01B33/035；该发明授权多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅是由石川浩一设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅在说明书摘要公布了：本发明降低所要制造的多晶硅的杂质浓度。多晶硅S1的制造装置1具备：反应器10，反应器10容纳硅析出用的原料气体G1；供给配管20，供给配管20形成供给流道，供给流道包括流入原料气体G1并且形成于反应器10中的流入口111，供给流道用于将原料气体G1供给至反应器10内；以及过滤器30，过滤器30设置于供给流道中，并且将混入至原料气体G1中的杂质去除。
本发明授权多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅的制造装置，其特征在于，具备： 反应器，所述反应器容纳硅析出用的原料气体，所述原料气体为三氯硅烷与氢气的混合气体； 配管，所述配管形成供给流道，所述供给流道包括流入所述原料气体并且形成于所述反应器上的流入口，所述供给流道用于将所述原料气体供给至所述反应器内；以及 过滤器，所述过滤器设置于所述供给流道中的所述流入口，并且将混入至所述原料气体中的杂质去除，所述过滤器由含有10质量％以上Ni的不锈钢构成，其中 对于粒径为0.3μm以上的粒子，所述过滤器的过滤精度为90％以上， 所述过滤器为如下形状：第一端开放，与所述第一端相对一侧的第二端闭合，并且过滤面在所述第一端与所述第二端之间延伸；并且 以所述第一端及所述第二端沿着所述供给流道的内壁而排列的方式，将所述第一端的外周侧固定于所述供给流道的内壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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