朗姆研究公司卡普·瑟里什·雷迪获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利用于防止在制造高深宽比特征过程中退化的掩模封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080069284.3，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权用于防止在制造高深宽比特征过程中退化的掩模封装是由卡普·瑟里什·雷迪;乔恩·亨利;弗朗西斯·斯隆·罗伯茨设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于防止在制造高深宽比特征过程中退化的掩模封装在说明书摘要公布了：一种用于制造具有非常严密的关键尺寸控制的高深宽比特征的工具和方法，其用于通过以下方式来处理衬底：封装掩模以防止在回蚀刻期间退化，从而防止特征衬垫材料在沉积‑蚀刻循环期间夹断开口。
本发明授权用于防止在制造高深宽比特征过程中退化的掩模封装在权利要求书中公布了：1.一种用于将特征制造到半导体衬底中的方法，所述方法包括： a用抗蚀刻材料围绕掩模的开口和侧壁进行封装，所述掩模定义了标称上蚀刻到半导体衬底中的特征； b在所述掩模的所述侧壁和所蚀刻的特征的侧壁上沉积非晶碳衬垫； c执行非晶碳衬垫蚀刻以去除在所述非晶碳衬垫沉积期间可能已经围绕在所述掩模的所述开口或所述侧壁沉积的过量非晶碳， 其中所述抗蚀刻材料防止或减轻在非晶碳衬垫蚀刻期间对所述掩模的所述开口和所述侧壁周围的蚀刻；以及 d执行特征蚀刻以加深所述特征在所述半导体衬底内的深度； 其中，所述抗蚀刻材料对用于蚀刻非晶碳的化学物质具有抗蚀刻性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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