普列斯半导体有限公司金峻渊获国家专利权
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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利包括钝化层的发光二极管前体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113875030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080038367.6，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权包括钝化层的发光二极管前体是由金峻渊;穆赫辛·阿齐兹;约翰·香农;凯文·斯特里利;伊恩·丹尼尔斯设计研发完成，并于2020-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括钝化层的发光二极管前体在说明书摘要公布了：本发明提供了发光二极管LED前体。LED前体包括基底10、包括多个III族‑氮化物层的LED结构30和钝化层40。LED结构包括p‑型半导体层36、n‑型半导体层32和位于p‑型半导体层和n‑型半导体层之间的有源层34。多个III族‑氮化物层中的每一个包括结晶III族‑氮化物。LED结构具有在与III族‑氮化物层的0001晶面垂直的面中延伸的侧壁37。钝化层设置在LED结构的侧壁上，使得钝化层覆盖有源层。钝化层包括带隙高于有源层的带隙的结晶III族‑氮化物。将LED结构成形为使得LED结构的侧壁与LED结构的每个III族‑氮化物层的非极性晶面对齐。
本发明授权包括钝化层的发光二极管前体在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管LED前体，包括： 基底； 设置在所述基底上的LED结构，包括多个III族-氮化物层，所述III族-氮化物层包括： p-型半导体层； n-型半导体层；和 位于所述p-型半导体层和所述n-型半导体层之间的有源层， 其中所述多个III族-氮化物层中的每一个包括结晶III族-氮化物， 所述LED结构具有在与所述III族-氮化物层的0001晶面垂直的面中延伸的侧壁； 在所述LED结构的侧壁上设置的钝化层，使得所述钝化层覆盖所述LED结构的有源层，所述钝化层包括带隙高于所述有源层的带隙的结晶III族-氮化物； 其中 将所述LED结构成形为使得所述LED结构的侧壁与所述LED结构的每个III族-氮化物层的非极性晶面对齐， 其中在远离所述LED结构的侧壁37的厚度方向上，所述钝化层40的带隙增加。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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