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龙图腾网获悉阿克特莱特股份公司申请的专利光探测器传感器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113875008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080029263.9，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权光探测器传感器阵列是由塞盖·奥霍尼恩;马克西姆·谷列夫;丹尼斯·萨林设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本光探测器传感器阵列在说明书摘要公布了：可用于相机芯片的光探测器传感器阵列器件包括半导体材料中，在由任一层或两个相反掺杂层制成的光吸收区任一侧的n+和p+半导体材料的上接触层和下接触层。介电材料的绝缘沟槽延伸通过这些层以形成单独的像素。各自的接触连接到上接触层和下接触层，使得每个像素可以被反向偏置或正向偏置。在操作中，该器件利用反向偏置重设置，然后切换到正向偏置以进行感测。切换后，响应于光子吸收生成的载流子积累在光吸收区的势阱中，从而降低了到接触层的势垒，导致电流在与入射光强度成反比的时间延迟后开始在接触之间流动。

本发明授权光探测器传感器阵列在权利要求书中公布了：1.一种具有感测像素的阵列的传感器阵列器件，所述器件包括： 上接触层，所述上接触层由高度掺杂的p型或n型半导体材料构成； 下接触层，所述下接触层由与所述上接触层相反类型的高度掺杂的n型或p型半导体材料构成； 掺杂的半导体材料的光吸收层，所述光吸收层夹在所述上接触层和所述下接触层之间，所述光吸收层被配置为当光入射在所述器件上时响应于光子的吸收而生成带相反电荷的载流子对； 介电材料的绝缘沟槽的网格，所述介电材料的绝缘沟槽垂直延伸通过掺杂的所述光吸收层中的至少一部分和所述上接触层，以将所述上接触层和掺杂的所述光吸收层中的至少一部分细分成形成所述像素的半导体材料的横向相邻的、可独立接触的列的阵列；以及 上接触和下接触，所述上接触和所述下接触连接到所述上接触层和所述下接触层的相应的像素，使得在像素的所述上接触和所述下接触之间施加的电压从反向偏置切换到正向偏置之后，响应于光子吸收而在所述光吸收层中生成的载流子在所述光吸收层中累积，这使电流在与入射到所述器件的光的强度成反比的时间延迟之后开始在所述上接触和所述下接触之间流动， 其中，掺杂的所述光吸收层被细分为半导体材料的相反掺杂的上层和下层，所述上层和下层与所述相反掺杂的上接触层和下接触层一起以n+pnp+的垂直掺杂顺序布置。

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