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三星电子株式会社韩奎熙获国家专利权

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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110970388B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910810705.2,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权半导体装置是由韩奎熙;白宗玟;徐训硕;安商燻;李禹镇设计研发完成,并于2019-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体装置在说明书摘要公布了:一种半导体装置包括:衬底;第一绝缘夹层,位于所述衬底上;第一布线,位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中;绝缘图案,位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上,所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料;刻蚀停止结构,位于所述第一布线及所述绝缘图案上;第二绝缘夹层,位于所述刻蚀停止结构上;以及通路,延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构,以接触所述第一布线的上表面。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,包括: 衬底; 第一绝缘夹层,位于所述衬底上; 第一布线,位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中; 绝缘图案,位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上,所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料; 刻蚀停止结构,位于所述第一布线及所述绝缘图案上; 第二绝缘夹层,位于所述刻蚀停止结构上;以及 通路,延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构,以接触所述第一布线的上表面, 其中所述第一布线包括第一金属图案,所述第一金属图案具有弯曲顶面,所述弯曲顶面的边缘区位于所述第一绝缘夹层和所述绝缘图案之间的界面下方或上方,以及 其中所述刻蚀停止结构覆盖所述绝缘图案的侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道水原市灵通区三星路129号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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