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龙图腾网获悉希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司申请的专利一种MZI硅光调制器相位锁定方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120276176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510770442.2，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种MZI硅光调制器相位锁定方法和装置是由梁亚锋;段彦辉;蔡鹏飞设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MZI硅光调制器相位锁定方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MZI硅光调制器相位锁定方法，包括步骤：S1、初始化与数据采集；S2、计算PID算法的目标值和初始值；S3、获取PID算法的多种参数，完成相位锁定。本发明通过PID算法对MZI硅光调制器进行调整控制，利用比例参数快速完成相位粗略锁定，基于微分环节预测并提前调整控制量减小震荡，积分环节则可以消除稳态误差增强精准性；同时，具备动态更新能力，能够实时锁定相位，可以适应更多工作环境。

本发明授权一种MZI硅光调制器相位锁定方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种MZI硅光调制器相位锁定方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、初始化与数据采集： 将采集控制单元进行初始化，对激光器和MZI硅光调制器上电；上电后，记录激光器发射的光进入MZI硅光调制器时输入端的光功率为Pin，记录MZI硅光调制器输出端的光功率为Pout；采集电压Vin和Vout，Vin=Pin×αin×Resp1×Rin，其中，αin为MZI硅光调制器中内置的光分束器对输入端对应的光电探测器的分光比，Rin为MZI硅光调制器在输入端外接的电阻阻值，Resp1为输入端的光电探测器的响应度；Vout=Pout×[αout1-αout]×Resp2×Rout，其中，αout为MZI硅光调制器中内置的光分束器对输出端对应的光电探测器的分光比，Rout为MZI硅光调制器在输出端外接的电阻阻值，Resp2为输出端的光电探测器的响应度；对MZI硅光调制器中的调相模块多次施加从0至VDD的电压且每次施加电压的步进为Vstep； 在MZI硅光调制器的输入端和输出端均分别设置对应的光电探测器和外接的电阻，在每次施加电压后，分别采集外接的电阻上对应的电压Vin和Vout，将Vout和Vin的比值记为Kratio； S2、计算PID算法的目标值和初始值： 从步骤S1中的每个Kratio中，选择周期出现的一组相邻的最小值Kratio_min和最大值Kratio_max进行记录，再分别记录最小值Kratio_min和最大值Kratio_max各自对应的施加电压为Vratio_min和Vratio_max； S3、获取PID算法的多种参数，完成相位锁定： 依据步骤S2中的最小值Kratio_min和最大值Kratio_max，计算PID算法的目标值Kratio_target，同时根据对应的施加电压Vratio_min和Vratio_max计算出PID算法的初始值Vstart_target； 将当前时刻的Kratio记为Kratio_now，将当前时刻的前一时刻对应的Kratio记为Kratio_last，依据Kratio_now和目标值Kratio_target，计算出PID算法在当前时刻的比例环节参数Enow，同时将前一时刻对应的比例环节参数Enow更新记录为Elast；再依据比例环节参数Enow和Elast计算出PID算法在当前时刻的积分环节参数Serror和微分环节参数Derror； 将初始值Vstart_target和多种参数均代入PID算法，输出当前时刻需要更新到MZI硅光调制器的施加电压Vnow，采集控制单元将施加电压Vnow施加到MZI硅光调制器的调相模块完成相位锁定。

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