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龙图腾网获悉龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282501B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510764150.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法是由温建功;杨乐;张朝阳;陈桥梁;郑丽君设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，属于半导体领域，该器件引入了P型深掺杂区和肖特基沟槽，使得：当器件处于反向耐压状态时，利用P型埋层、N‑型第一碳化硅外延层、P型深掺杂区以及N‑型第二碳化硅外延层作为栅氧保护结构，横向和纵向的栅氧保护结构共同耗尽以保护栅氧化层，降低栅极拐角处的电场强度；当器件发生雪崩击穿时，流过P型深掺杂区之后通过肖特基沟槽内部的源极金属流入源极，雪崩电流几乎不会流经第一P型体区后进入N+型源区最后进入源极金属，降低了寄生三极管开启的风险；肖特基沟槽底部的源极金属与N‑型第二碳化硅外延层形成肖特基接触，使得器件集成了肖特基结构，改善了器件反向恢复性能。

本发明授权一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽型碳化硅MOSFET器件包括： 碳化硅衬底01； N-型第一碳化硅外延层02，位于所述碳化硅衬底01的上表面； P型埋层03，位于器件两端的N-型第一碳化硅外延层02内； N-型第二碳化硅外延层04，位于所述P型埋层03和剩余所述N-型第一碳化硅外延层02上； 两个栅极沟槽08，分别贯穿靠近器件两端的所述N-型第二碳化硅外延层04，直至对应的P型埋层03内；每个栅极沟槽08的内壁设置有栅氧化层09，所述栅氧化层09上和所述栅极沟槽08内设置有P型多晶硅10； 两个N+型源区07，位于两个栅极沟槽08之间的N-型第二碳化硅外延层04内，且分别与一栅极沟槽08内的栅氧化层09接触； 两个第一P型体区051，分别位于一N+型源区07下方的N-型第二碳化硅外延层04内，且与对应的N+型源区07接触； 两个第二P型体区052，位于两个N+型源区07之间的N-型第二碳化硅外延层04内，且分别与邻近的N+型源区07接触； 两个P型深掺杂区06，分别位于一第二P型体区052下方的N-型第二碳化硅外延层04内，且与对应的第二P型体区052接触，并与邻近的第一P型体区051接触；此时所述第二P型体区052和所述第一P型体区051为连通结构且呈对角分布； 层间绝缘介质11，分别位于器件两端的所述N-型第二碳化硅外延层04、所述栅极沟槽08、部分所述N+型源区07上； 肖特基沟槽12，位于两个P型深掺杂区06之间的N-型第二碳化硅外延层04内；所述肖特基沟槽12在N-型第二碳化硅外延层04内的深度小于所述P型深掺杂区06在N-型第二碳化硅外延层04内的深度，且大于所述第一P型体区051在N-型第二碳化硅外延层04内的深度； 源极金属13，位于所述肖特基沟槽12内，以及所有层间绝缘介质11上、所有第二P型体区052上、剩余的所有N+型源区07上； 漏极金属14，位于所述碳化硅衬底01的下表面。

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