江西萨瑞半导体技术有限公司余快获国家专利权
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龙图腾网获悉江西萨瑞半导体技术有限公司申请的专利一种低容TVS管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510677486.0，技术领域涉及：H10D8/20；该发明授权一种低容TVS管及其制备方法是由余快;杜天伦;李运鹏设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低容TVS管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低容TVS管及其制备方法，通过设置开设凹槽的P型衬底、依次设于凹槽上的第一N+层和第一N‑层；其中，在垂直于外延生长方向的第一N+层的两侧设置第一隔离介质层，在垂直于外延生长方向的第一N‑层的两侧设置第二隔离介质层，第一N‑层远离第一N+层的一侧掺杂P型离子，第一N‑层中掺杂P型离子的第一区域与电极连接，具体的，由于使用较大的深宽比来蚀刻凹槽，不会存在挖深槽困难以及填充隔离介质层填不满的风险，大大降低了工艺难度，同时使用隔离介质层提前做好隔离，不存在扩散和对准等问题导致隔离的失效，另外，可以根据设计需求，灵活调整PN结的宽度，不再相互制约，既能增大浪涌能力，也能减小电容。
本发明授权一种低容TVS管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低容TVS管，其特征在于，包括开设凹槽的第一P型衬底、依次设于所述凹槽上的第一N+层和第一N-层； 其中，在垂直于外延生长方向的所述第一N+层的两侧设置第一隔离介质层，在垂直于外延生长方向的所述第一N-层的两侧设置第二隔离介质层，所述第一N-层远离所述第一N+层的一侧掺杂P型离子，所述第一N-层中掺杂P型离子的第一区域与电极连接； 所述第一P型衬底的掺杂浓度为1E17atomcm3~9E19atomcm3； 所述第一N+层的杂质为As元素，掺杂浓度为1E13atomcm3~9E17atomcm3； 所述第一N-层的杂质为P元素或者As元素，掺杂浓度为1E12atomcm3~9E14atomcm3； 所述第一N-层中掺杂P型离子的杂质为B元素，浓度为1E14atomcm3~9E16atomcm3。
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