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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种全GaN集成的带隙基准源电路及制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118899310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410945288.3，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种全GaN集成的带隙基准源电路及制作工艺是由江希;赵云宣;袁嵩;严兆恒;董浩;何艳静;弓小武设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全GaN集成的带隙基准源电路及制作工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种全GaN集成的带隙基准源电路，包括：多个增强型GaNHEMT晶体管、多个横向温度传感器二极管、多个片上电阻和外延片；所述多个增强型GaNHEMT晶体管、所述多个横向温度传感器二极管和所述多个片上电阻均集成在所述外延片上；其中，所述外延片包括自下而上依次堆叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、P‑GaN层和钝化层。本发明采用全GaN器件，减小了芯片寄生效应，降低了成本，提升了整体性能，通过片上电阻和横向温度传感器二极管，本基准源电路可以准确输出与温度无关的基准电压，输出电阻比值可以调整，输出稳定。

本发明授权一种全GaN集成的带隙基准源电路及制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种全GaN集成的带隙基准源电路，其特征在于，包括：多个增强型GaNHEMT晶体管、多个横向温度传感器二极管、多个片上电阻和外延片；多个增强型GaNHEMT晶体管、多个横向温度传感器二极管和多个片上电阻均集成在外延片上；其中，外延片包括自下而上依次堆叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、P-GaN层和钝化层； 其中，多个增强型GaNHEMT晶体管包括：晶体管M1至晶体管M8；多个片上电阻包括：片上电阻R1至R3；多个横向温度传感器二极管包括：二极管D1至D4；二极管D1的阳极连接至电源DC，二极管D1的阴极与片上电阻R1的一端相连；片上电阻R1的另一端与晶体管M1的漏极相连，晶体管M1的源极与晶体管M3的漏极相连，晶体管M1的栅极与晶体管M2的栅极相连，晶体管M3的源极接地，晶体管M3的栅极与晶体管M4的栅极相连；二极管D2的阳极与电源DC连接，二极管D2的阴极与晶体管M2的漏极相连，晶体管M2的源极与晶体管M4的漏极相连，晶体管M4的漏极接地；片上电阻R2的一端与电源DC连接，片上电阻R2的另一端与晶体管M5的漏极相连，晶体管M5的栅极连接至二极管D2的阴极和晶体管M2的漏极之间，晶体管M5的源极接地；二极管D3的阳极与电源DC连接，二极管D3的阴极与晶体管M6的漏极相连，晶体管M6的漏极与晶体管M2的栅极相连，晶体管M6的栅极连接至片上电阻R2与晶体管M5的漏极之间，晶体管M6的源极与晶体管M7的漏极相连，晶体管M7的栅极连接至晶体管M1的漏极与晶体管M3的栅极之间，晶体管M7的源极接地；二极管D4的阳极与电源DC连接，二极管D4的阴极与片上电阻R3的一端相连，片上电阻R3的另一端与晶体管M8的漏极相连，晶体管M8的栅极与晶体管M7的栅极相连，晶体管M8的源极接地。

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