株式会社日进制作所市田良夫获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日进制作所申请的专利立方晶氮化硼多晶体及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119177496B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410646126.X，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权立方晶氮化硼多晶体及其制造方法是由市田良夫;入舩徹男;大藤弘明;富田康夫设计研发完成，并于2024-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本立方晶氮化硼多晶体及其制造方法在说明书摘要公布了：立方晶氮化硼多晶体及其制造方法。cBN多晶体10混合存在：细粒晶体11，由cBN形成，粒径处于10～60nm内；粗粒晶体12，由cBN形成，粒径处于100～250nm内；和层状晶体13，由cBN形成的多个片状晶体层叠而成，与层叠方向垂直方向的最大长度为1000nm以下，最大长度除以层叠方向的最大长度得到的长厚比小于3，细粒晶体、粗粒晶体和层状晶体合计的平均粒径为80nm以下。cBN多晶体如下得到：将由六方晶系的氮化硼形成的原料在10GPa以上压力下加热到1300～1600℃内的第1温度并维持第1规定时间后，加热到1700～2100℃内的第2温度并维持第2规定时间，然后进行冷却。
本发明授权立方晶氮化硼多晶体及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种立方晶氮化硼多晶体，其特征在于，混合存在以下晶体： 细粒晶体，其由立方晶氮化硼形成，粒径处于10～60nm的范围内； 粗粒晶体，其由立方晶氮化硼形成，粒径处于100～250nm的范围内；和 层状晶体，其由立方晶氮化硼所形成的多个片状晶体层叠而成，与层叠方向垂直的方向的最大长度为1000nm以下，该最大长度除以所述层叠方向的最大长度而得到的长厚比小于3， 所述细粒晶体、所述粗粒晶体和所述层状晶体的存在比以面积比计处于13～20:60～75:10～30的范围内， 该细粒晶体、该粗粒晶体和该层状晶体合计的平均粒径为80nm以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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